st microelectronics

　　行业目前通常采用一种多级批量光刻工艺来生产柔性模切线路板。这种工艺需要在柔性线路板上蚀刻铜箔线路，即使用腐蚀性化学品溶解不需要的铜箔，但事后需要耗费大量时间和能源才能从化学品中提取出废铜，因此，很难实现铜的有效回收。模切工艺可以实现铜的快速回收利用，因此比化学蚀刻工艺更受青睐。
st microelectronics　　实时计算密集型应用（如智能嵌入式视觉和机器学习）正在推动嵌入式处理需求的发展，要求在边缘实现更高的能效、硬件级安全性和高可靠性。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日发布PIC64系列产品，进一步扩大计算范围，满足当今嵌入式设计日益增长的需求。
　　其中，三星Galaxy Z Fold6传承Galaxy Z Fold系列强大的生产力基因，通过深度融合前沿AI技术和创新的端侧AI应用，将移动生产力提升到了新高度。同时，Galaxy Z Fold6更是三星对于未来高效移动生产力愿景的进一步体现，标志着Galaxy AI手机新阶段的到来。

对于要求严苛的应用，ECD1000A 根据 MIL-STD-810H 标准进行了机械加固，产品设计可承受 20G 冲击，内部板和组件均采用保形涂层进行保护。” “该产品经过电气加固，可承受恶劣的瞬变，并符合 MIL-STD-461E CE102/RE102、MIL-STD 1399-300A 和 MIL-STD-810H 的 EMC 性能要求。
　　此驱动器的另一个优点是每个通道可多提供高达 66% 的电流 (与标准 150mA 相比可达到250mA)，从而具有更大的灵活性，可在更广泛的照明应用中支持更大的 LED 电流范围。为达到更高的灵活性，三个通道中每个通道的电流都可以使用单独的电阻进行设定。
st microelectronics　　L99H92的设计初衷是提高可靠性和安全性，为应用提供全面的系统保护和诊断功能。过流保护功能可以设置电流阈值，通过监测MOSFET 漏极电流检测过流。此外，高低边交叉导通防护功能可以设置死区时间，确保电桥的安全性和能效。 其他保护功能包括过热预警关断、模拟数字电源输入过压和欠压保护，以及断态诊断模式开路负载和输出短路检测。
　　集成式12 V LDO（耐压42 V）无需外部电源，可直接通过12 V铅酸电池为设备供电。集成式收发器可与LIN总线直接通信。该产品符合ISO26262 ASIL-C 功能安全要求。
　　conga-SA8也是首批支持WiFi 6E的SMARC模块之一。与支持WiFi 5的产品相比，该模块可提供几乎三倍的数据速率，并在密集/过载环境中提供更稳定的连接。它还支持具备TSN功能的 WiFi，所以可建立确定的无线连接，提供指定的吞吐量。因此，该模块可以经济高效地替代专用5G网络或新型以太网布线。

　　Marktech MTMD142345PDT38 多 LED 光电二极管组合MTMD142345PDT38 具有五个尺寸为 1.04、1.2、1.3、1.46 和 1.55μm 的 LED，以及一个在 600 – 1,750nm 范围内敏感的 InGaAs 光电二极管，所有这些均可单独寻址并密封在 TO-5 金属罐中。
st microelectronics　　日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1212封装分立器件，节省50%基板空间。器件为设计人员提供节省空间的解决方案，用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级，适用领域包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。这些应用中，SiZF4800LDT高低边MOSFET提供50%占空比优化组合，同时4.5 V下逻辑电平导通简化电路驱动。
　　利用 2022 年推出的专为功耗而优化的 Steelerton 数字信号处理器（DSP），这个新模块在紧凑的收发器尺寸中实现了功耗。该 DSP 与高效的硅光光学前端和功耗优化的可调谐激光器配对，从而增强了对更广泛运行温度范围的支持，使模块在 85°C 壳体温度下的功耗低于 6 瓦。
强大的片上通信接口包括多个QSPI、UART、CAN 2.0B和I2C串行高速接口，以及一个用于连接音频编解码器的I2S端口。所有接口都支持外设和存储器之间高效的DMA驱动传输，12输入（8个外部）、12位SAR ADC以高达每秒采样百万次 (1 Msps) 的速度对模拟数据进行采样。