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与现有的650 V SiC和Si MOSFET相比，新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC，功率密度达到100 W/in以上，并且效率达到99.5%，较使用650 V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外，由于在DC/DC级采用了CoolGaN?晶体管，其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合，该电源可提供8千瓦以上的功率，功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。
瑞昱芯片排行相比当前主流的CAN FD车载通信方案，NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下，进一步兼容CiA 601-4标准，可实现≥8Mbps的传输速率。凭借纳芯微的振铃抑制功能，即使在星型网络多节点连接的情况下，NCA1462-Q1仍具有良好的信号质量；此外，超高的EMC表现，更加灵活、低至1.8V的VIO可有效助力工程师简化系统设计、并打造更高质量的车载通信系统。
该移动平台支持广泛的AI模型，其中包括Baichuan-7B、Gemini Nano、Llama 2和智谱ChatGLM等大语言模型。为打造卓越的娱乐性能，第三代骁龙7+支持部分Snapdragon Elite Gaming?的全新特性，包括游戏后处理加速器和Adreno图像运动引擎2.0，从而增强游戏效果并将游戏的视效提升至端游级水平。此外，该平台支持行业领先的18-bit认知ISP，带来影像特性。

　　为了加快产品上市，这款即插即用的解决方案已经完成了栅极驱动器电路设计、测试和验证等复杂的开发工作。XIFM 数字栅极驱动器是一种结构紧凑的解决方案，具备数字控制、集成电源和可提高抗噪能力的坚固光纤接口。该栅极驱动器具有预配置的“开/关”栅极驱动曲线，可量身定制以优化模块性能。
　　该MPPS电源具有一系列优越的多功能特征，使其成为了当今军事领域的宝贵产品。它能够与多达 32 个单元并行配置，提供更高的功率输出或N+M冗余系统。MPPS具有内部控制系统，允许并联组同步启动和停止，使其可用作整体电源运行。该设备还具有战斗短路功能，使其能够在指定的温度范围之外继续运行。
瑞昱芯片排行　　NXP Semiconductors FRDM-MCXN947与FRDM-MCXA153快速检索和数据操纵器 (FRDM) 开发板是低成本、可扩展的紧凑型开发平台，可使用MCUXpresso开发工具快速进行原型开发。FRDM-MCXN947搭载MCX N系列，适用于各种具有高集成度、片上加速器、智能外设和安全性的应用。FRDM-MCXA153搭载具有可扩展器件选项、低功耗和智能外设的MCX A系列。
　　产品端子采用弹性触点设计，可有效减少连接器在振动环境及冷热冲击下，公母触点间的摩擦腐蚀，确保连接器电接触的持久可靠。
我们深入了解市场需求，以及深明业界需要通过合适解决方案以应对客户所面临的难题，因此决定开发 nRF9151。我们的目标是通过 nRF9151 简化开发流程并减低功耗和占板面积，填补重要的市场空白。nRF9151是对蜂窝物联网产品组合的战略性补充，证明了Nordic致力于提供的蜂窝物联网解决方案并努力保持领先地位的不懈努力。

　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。
瑞昱芯片排行　　BC68R2123工作电压为2.2V~3.6V；MCU具有1K×14 OTP Memory、64×8 RAM、2组Timer等系统资源。RF发射功率达+13dBm，射频特性符合ETSI/FCC规范，支持OOK/FSK调制，传输速率0.5kbps~50kbps。采用16NSOP-EP封装，具备9个GPIO。
这些全新低功耗产品具有24位Sigma-Delta模数转换器（SDADC），以及创新的双区代码闪存和区交换功能，可轻松实现固件在线升级（FOTA)，适用于智能能源管理、楼宇自动化、医疗设备、消费电子产品和其它物联网应用，这些应用都需要固件在线升级功能。
　　这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器，包括铁路设备；发电、配电和储电系统；焊接设备；电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，额定电流下，集电极至发射极电压仅为 ≤ 1.07 V，达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用，开关损耗极低，+125 °C，额定电流下，Eoff仅为1.0 mJ。