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　　Dubhe-70在功率、面积以及效率方面都拥有表现，与Arm Cortex-A55相比， Dubhe-70性能高出80%，能效比高出32%，面效比高出90%。与赛昉科技去年推出的主打高能效比的Dubhe-80相比，Dubhe-70的能效比提升21%，面效比提升5%。Dubhe-70可应对高性能场景下对功耗有着严苛要求的各类细分领域，涵盖工业控制、存储、移动终端、边缘终端、云终端、AI等。
altera　　经过预集成及验证，Dubhe-70能极大简化SoC开发工作。Dubhe-70可提供具备内存一致性的Cluster内单核、双核或四核的配置选择，具有高度可扩展性。在配套软件方面，赛昉科技能为客户提供裸机SDK、Linux SDK、独立且预编译的IDE等。
全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。

　　OPJ301x系列的推出，进一步丰富了类比半导体在高性能通用运算放大器领域的解决方案，满足了市场对超低偏置电流和高精度信号处理日益增长的需求。无论是医疗设备中的精密信号检测，还是工业自动化测试设备的信号放大，OPJ301x都能提供卓越的性能表现，助力设计工程师实现更高水平的信号处理精度和可靠性。
如果高密度地安装频带相近的天线，一些本应放射到空间的功率会干扰近邻天线并流入其中，导致天线的放射特性降低。通过让天线彼此保持足够的距离可以确保隔离并预防干扰，但对于智能手机和可穿戴终端来说，在狭小的外壳内确保空间非常困难。
　　纳微发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe?
得益于双堆叠发射器技术和透明硅树脂封装，OSLON Black系列的SFH 4726AS实现小尺寸、高功率、高效率和优化的热管理，有效减小散热设计的压力；
　　 采用3.75×3.75mm的透明硅树脂封装，内置1mm2堆叠红外芯片，单颗光功率可达2W以上，为手持扫描仪这样小巧空间的应用提供更多光源设计空间。
PMIC是DDR5 内存架构中的关键组件，可实现更多的内存通道、更大容量的模组和更高的带宽。Rambus DDR5服务器PMIC系列包含符合JEDEC超高电流（PMIC5020）、高电流（PMIC5000）和低电流（PMIC5010）规范的产品。

REC10K、REC20K 和 REC30K 系列的功率分别为 10 W、20 W 和 30 W，具有 4:1（9-36 VDC 或 18-75 VDC）输入电压范围，提供多种稳压输出电压选项：3.3 V、5 V、9 V、12 V、15 V、24 V、+/-5 V、+/-12 V、+/-15 V 和 +/-24 V（仅限 REC10K）。此外，REC30K 还具有 2:1 (36-75 VDC) 输入电压范围，而且效率更高。单路输出可在 +/-10% 范围内微调，并提供开/关控制功能。
altera额定电压为2.5Vdc、工作温度可达105°C、温度特性为X6S※2的“GRM188C80E107M”和工作温度可达85°C、温度特性为X5R※3的“GRM188R60E107M”已经开始量产。此外，额定电压为4Vdc、工作温度可达85°C的产品※4计划于2025年开始量产。
　　英飞凌科技航空航天与国防业务副总裁兼研究员Helmut Puchner表示：“随着越来越多的太空应用被设计成在系统端处理数据，而不是通过遥测技术将数据传输到地面进行处理，因此对高可靠性非易失性存储器的需求会不断增加，以配合太空级处理器与FPGA实现数据记录应用。英飞凌于2022年在该市场推出了首款SPI F-RAM存储器。此次推出并行接口存储器体现了我们致力于为新一代太空需求提供一流的、高度可靠且灵活的解决方案。”
　　SIM（用户身份模块）能够对电信运营商网络中的设备进行身份验证。SIM拥有不同的封装形式，而且尺寸随着时间的推移不断缩小，以满足设备制造商节省空间的需求。