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在实现强大性能的同时，TacHammer Carlton提供了小巧的尺寸，直径为15毫米，长度为34.3毫米，非常适合手持应用。它还独特地设计成可以由开发者定制，允许用户使用各种冲击材料来生成他们喜欢的触觉感觉和声音。
infineon technologies　　RPZ 和 RPL 系列DC/DC 转换器的典型应用包括微控制器、传感器、嵌入式系统、便携式电子产品、物联网设备、消费电子设备和医疗设备。
　　因此，在对长期性能有高可靠性要求的汽车电子系统中，全温区内能提供准确温度值的CMOS集成式温度传感器是十分优质的选择，纳芯微的车规级数字温度传感器优势明显，此次推出的车规级数字输出温度传感器NST175-Q1以及车规级模拟输出温度传感器NST235-Q1，NST86-Q1，NST60-Q1，均采用纳芯微高性能、高可靠性CMOS测温技术，具有全温区高精度、高线性度、低功耗以及高集成度等特性，无需额外电路，可有效降低整体方案成本，是无源热敏电阻的有效替代方案。

　　为满足智能手机面对多样光线场景的拍摄需求，SC1620CS搭载思特威先进的SFCPixel-SL技术，通过创新的像素内双转换增益设计，获得了动态范围、暗场噪声性能的显著提升。相较行业同规格产品，SC1620CS的读取噪声(RN)和固定噪声(FPN)分别大幅降低约38%和55%以上，使其在暗光环境下的成像更清晰细腻。
　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。
infineon technologies　　凭借LPDDR5X DRAM的封装技术，三星提供了其业内薄，采用四层堆叠结构[1]的12纳米级LPDDR DRAM。与上一代产品相比，厚度降低约9%，耐热性能提升约21.2%。
　　GL7004采用7um像素设计，具有10.5ke?的满阱和4.3e的读出噪声，单幅动态范围可达61.5dB。芯片的峰值量子效率为76.8% ，通过近红外增强技术，使得GL7004在850nm处的量子效率大于30%，以满足在新能源光伏检测中的需求。
作为 VCSEL+SPAD 激光雷达技术路线的先行者，识光形成了独有的从激光雷达系统视角定义并优化 SPAD-SoC 芯片架构的能力，确保了 SQ100 从客户需求出发，切实解决实际问题、完成商业落地。

　　OCP9225AH采用低Ron内部FET，工作范围为3V_DC至28V_DC，导通时Ron仅为18mΩ，很大的降低功率损耗。内部钳位器能够分流±100V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。
infineon technologies骁龙X80调制解调器及射频系统为5G Advanced和智能计算无处不在的时代奠定了基础。充分利用AI对于连接的未来至关重要，我们取得的这一里程碑，彰显了高通技术公司在前沿AI和先进调制解调器及射频技术融合领域的领先优势。
　　谷歌今天宣布推出 Pixel 系列中的几款新智能手机，包括 Pixel 9 Pro Fold、Pixel 9、Pixel 9 Pro 和 Pixel 9 Pro XL，所有这些手机都具有由 Gemini 驱动的全新 AI 功能。此外还有新款 Pixel Watch 3 和 Pixel Buds Pro 2 耳机。
　　禅思 H30T 支持三种红外增益模式，低增益模式、高增益模式及全新超清模式[7]。不同程度的增益模式作用不同，低增益模式提供更广的测温范围，高增益模式提供更精准的测温能力，超清模式画面清晰度更高，更有利于观察目标物体，在安防、应急、搜救等应用场景中更为实用。