英飞凌igbt型号及参数大全
日前发布的发光二极管100 mA驱动电流下典型辐照强度达235 mW/sr,比上一代解决方案提高50%。器件开关时间仅为15 ns,典型正向电压低至1.5 V,半强角只有± 10°,适用作烟雾探测器和工业传感器的高强度发光二极管。这些应用中,TSHF5211可与硅光电探测器实现良好的光谱匹配。 英飞凌igbt型号及参数大全 理论上,NAND芯片的堆叠层数越多,其输入输出效率越高、读写速度越快、功耗越低,在相同容量情况下物理空间占用越小。在美光公司媒体交流会上,美光存储事业部 NAND 产品生命周期管理及应用工程总监Daniel Loughmiller回应了记者对堆叠层数的关注. 多功能新型 阅读更多…